场效应管基本参数解析
2024-12-07
场效应管的基本参数概述 场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种重要的半导体器件,广泛应用于电子工业中。场效应管有许多基本参数,这些参数对于场效应管的性能和应用具有非常重要的影响。本文将从以下6个方面详细阐述场效应管的基本参数。 1. 栅极电压Vgs 栅极电压Vgs是场效应管的重要参数之一,它是指栅极电压与源极电压之差。当Vgs为正值时,场效应管的导通能力增强;当Vgs为负值时,场效应管的导通能力减弱。在实际应用中,Vgs的大小对场效应管的放大系数、输入电阻